В 2021 году ожидается выход «140+»-слойной памяти 3D NAND

16.05.2018 22:14
В 2021 году ожидается выход «140+»-слойной памяти 3D NAND

Аналитики компании Applied Materials, одного из крупнейших производителей оборудования для полупроводниковой промышленности, прогнозируют освоение ведущими производителями флеш-памяти технологии «140+»-слойной 3D NAND в 2021 году. Под «140+» подразумевается пока ещё не утверждённое количество слоёв NAND флеш-памяти, которое, по-видимому, будет кратно 16 (144 или 160 слоёв) или 18 (144 или 162). Своё видение будущего памяти 3D NAND представители Applied Materials изложили в докладе, подготовленном к конференции IEEE International Memory Workshop (IMW), которая проходит в эти дни в г. Киото (Япония).

Согласно Applied Materials, для работы с полутора сотнями слоёв кремния потребуется использование новых материалов, без которых невозможен переход к слоям 45–50 нм толщиной. Для получения более тонких слоёв необходима оксидная плёнка с лучшими характеристиками, чем у имеющихся, а также новые полупроводниковые материалы из числа нитридов.

В 2021 году ожидается выход «140+»-слойной памяти 3D NAND

Сегодня толщина кремниевых слоёв варьируется от 70 нм в 32–36-слойном кристалле 3D NAND до 55 нм в 96-слойном. Несмотря на меры, предпринимаемые для уменьшения толщины кристалла (die), его высота увеличится с 2,5–5,5 мкм у используемой сегодня памяти до примерно 8 мкм в «140+»-слойной.

Увеличение количества кремниевых слоёв в первую очередь связано с увеличением объёма микросхем. Актуальная технология производства 64-слойной флеш-памяти позволяет изготавливать 8-Тбит (1-Тбайт) чипы 3D NAND (например, как в серверных SSD Samsung PM1643) при плотности данных в 8 Гбит на один слой флеш-памяти и в 512 Гбит на один кристалл. Шестнадцать кристаллов 3D NAND формируют одну 1-Тбайт микросхему. В пятом поколении Samsung V-NAND с применением 96-слойных кристаллов памяти 3D QLC объём одного чипа вырастет вдвое — до 16 Тбит.

В 2021 году ожидается выход «140+»-слойной памяти 3D NAND

Каким будет максимальный объём чипов «140+»-слойной памяти через три года, пока можно только догадываться. Во-первых, на смену технологии QLC (quadruple-level cell) может прийти условная QiLC (quintuple-level cell) для записи пяти бит данных в одной ячейке памяти. Во-вторых, будет уменьшаться прослойка «тёмного кремния» между транзисторами, как и сами транзисторы.

Заметим, что принцип создания 3D-кристаллов, взятый на вооружение производителями чипов NAND флеш-памяти, вдохновил тайваньского полупроводникового гиганта TSMC на разработку 3D-упаковки GPU без кремниевого моста.

Источник

Следующая новость
Предыдущая новость

Как дебетовая карта может облегчить вам жизнь? Электровелосипед. Основные органы управления. Система Pedal Assist (PAS) Если вам нужен арбитраж трафика, то обращайтесь в компанию Aivix Слышали ли вы о киберспорте? Разработка программного обеспечения и электронных устройств на заказ

Последние новости